RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3772
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link