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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
3,405.2
17.7
写入速度,GB/s
2,622.0
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3772
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
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