RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1677
2414
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link