RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
40
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
3564
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link