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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
AMD R5316G1609U2K 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
73
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
50
Velocidad de lectura, GB/s
6.3
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1309
2393
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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