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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
73
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
50
Velocità di lettura, GB/s
6.3
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2393
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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