RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
47
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3199
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link