Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 47

Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 34
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8.0 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2061 3199

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM