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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
50
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
50
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
2326
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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