Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB

Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 41
    En 32% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 41
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1587 left arrow 1348
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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