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Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
比较
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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规格
完整的技术规格清单
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
11.8
11.1
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1587
1348
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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