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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
12.8
15.7
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2803
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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