RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2803
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link