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AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
19
左右 -6% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
18
读取速度,GB/s
18.4
17.2
写入速度,GB/s
12.3
8.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2422
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
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