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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
比较
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
总分
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,410.6
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
61
左右 -144% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
25
读取速度,GB/s
4,230.0
15.6
写入速度,GB/s
2,410.6
13.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
754
2702
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
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