RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
58
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
29
读取速度,GB/s
4,241.0
12.8
写入速度,GB/s
1,950.7
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2817
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link