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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
75
左右 -226% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
23
读取速度,GB/s
3,986.4
14.5
写入速度,GB/s
2,036.1
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2361
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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