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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
63
左右 -232% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
19
读取速度,GB/s
8.1
20.2
写入速度,GB/s
7.5
18.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3905
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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