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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
77
左右 -285% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
20
读取速度,GB/s
2,936.9
19.7
写入速度,GB/s
1,884.0
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3473
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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