RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.5
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
39
Velocidad de lectura, GB/s
11.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1654
1881
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link