RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2495
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link