RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
94
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3155
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link