RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
94
En -194% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
32
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3196
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link