RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
94
En -248% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
27
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3784
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link