RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
94
En -292% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
24
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3209
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link