RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
94
En -194% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
32
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2974
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link