RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
94
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
45
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3027
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link