RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
94
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3697
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link