RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
94
En -327% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
22
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3083
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link