RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
94
En -236% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
28
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2901
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX1866C11D3/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link