RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
94
En -203% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
31
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
1997
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link