RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
94
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
57
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2213
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link