RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
94
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
40
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2495
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link