RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
94
En -203% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
31
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2585
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link