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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
94
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
46
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2481
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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