RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
94
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
60
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2359
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link