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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
3035
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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