RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
3035
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link