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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2181
2952
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
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