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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
45
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
3233
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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