RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
3233
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link