RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3315
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link