RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
96
Wokół strony -269% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3061
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link