RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3061
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link