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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
54
En 52% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
54
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2259
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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