RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
2709
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-YK0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link