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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1560
3110
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
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