Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Puntuación global
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Puntuación global
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
    En 1.11% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    22 left arrow 27
    En -23% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18 left arrow 16.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 22
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 18.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 12.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2756 left arrow 3110
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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