RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2659
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link