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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3762
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-075.A00G 16GB
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Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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